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栅极电荷器件Diodes推出强固型MOSFET

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Diodes推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流,以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。

Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择,包括:SOT223封装的DMN6068SE、TO252 和SO8封装的DMN6068LK3、单MOSFET DMN6066SSS 和双MOSFET DMN6066SSD,后者能够取代两个独立器件,有助于减少元件数量和印刷电路板尺寸。


这些MOSFET具备低栅极电荷和输入电容,即使在极小甚至没有缓冲的低压逻辑电平下也能正常驱动,从而简化了SLIC 电路设计,进一步减少了元件数量和成本。DMN60xx平衡了栅极电荷和导通电阻性能,为有线及和数字用户线路 (DSL) 调制解调器、模拟终端适配器和专用交换机 (PBX) 等VoIP应用提供了必不可少的优值系数。

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